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【学术报道】中国科学院物理所于国强研究员应邀来我校学术交流

应物理科学与技术学院的邀请,中国科学院物理所于国强研究员来我校进行学术交流,并于7月2日上午在行健楼437会议室作了题为“室温磁性斯格明子的产生、操控及在器件设计中的潜在应用”的学术报告,相关领域的教师和研究生参加了本次学术报告会。

于国强,中国科学院物理研究所“特聘研究员”、博士生导师。2007年本科毕业于吉林大学,2012年在中国科学院物理研究所获博士学位。2012至2017年在美国加州大学洛杉矶分校从事自旋电子学研究。2017年获中科院“百人计划”资助。主要从事“薄膜材料的自旋轨道力矩和室温斯格明子”研究。至今已经在Science、Nature Nanotechnology、Nature Materials、Nature Physics、Nature Electronics、Nature Communications、Physical Review Letters、Advanced Materials、Nano Letters等国际重要期刊上发表学术论文70余篇,引用超过3000次;获中国发明和国际专利授权11+9项;有国际会议邀请报告3次。

在本次报告中,于国强研究员讲述了磁性斯格明子这一最新研究领域的发展情况。磁性斯格明子由于具有拓扑保护、尺寸小、驱动电流密度低等优异的属性,有望成为未来高密度、高速度、低功耗磁存储和逻辑功能器件的信息载体。为了实现器件的基本功能,人们需要能够在室温下产生、操控以及探测斯格明子。于国强研究员先容了其所在团队在该领域的成果,包括:(1)证明可以通过控制磁性薄膜材料垂直磁各向异性实现室温斯格明子;(2)在基于反铁磁的薄膜异质结中实现了室温、零磁场下稳定存在的斯格明子;(3)制备出一种室温斯格明子纳米结构,能够利用电学方式产生和操控可控数量的斯格明子;(4)多层膜中斯格明子三维结构的解析。最后简要先容一下目前有关斯格明子研究中尚待解决的问题。


  • 更新时间

    2019年07月03日

  • 阅读量

  • 供稿

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